IGLR70R200D2SXUMA1 vs IGK120B041SXTSA1 Comparação
Comparação detalhada lado a lado de IGLR70R200D2SXUMA1 por Infineon e IGK120B041SXTSA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | IGLR70R200D2SXUMA1 | IGK120B041SXTSA1 |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoria | MOSFETs | MOSFETs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $1,24 | $1,68 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | CoolGaN G5 | CoolGaN Bidirectional Switch (BDS) |
| Channel Type | N-Channel | — |
| Technology | GaN HEMT (E-mode, enhancement-mode) | Gallium Nitride (GaN) on Silicon |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 700 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 9.3 A | 30 A |
| Power Dissipation (PD, Tc) | 34 W | — |
| On-Resistance (RDS(on), max) | 200 mΩ | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 1.26 nC | 4.4 nC |
| Output Capacitance (Coss) | 91 pF | — |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 0.21 pF | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th), typ) | 1.2 V | — |
| Faixa de temperatura de operação | -40 °C to +150 °C | [DATA_NEEDED: junction temperature range] |
| Encapsulamento | PG-TSON-8-8 (surface mount, ThinPAK top-cooled) | SG-UFWLB-16-2 (WLCSP 1.2 x 1.7 mm) |
| RoHS | Compliant | — |
| Generation | — | G3 (medium-voltage) |
| Tipo de transistor | — | N-Channel, Monolithic Bidirectional |
| Drain-Source Voltage (VDS, max) | — | 40 V (symmetric, both polarities) |
| Power Dissipation (Tc) | — | 15 W |
| Power Dissipation (Ta) | — | 1.2 W |
| On-State Resistance (RDS(on)) | — | [DATA_NEEDED: typical RDS(on) in mOhm] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: typical VGS(th) in V] |
| Operating Mode | — | Normally-off |
| Tipo de montagem | — | Surface Mount |
| Status RoHS | — | Compliant (Pb-free) |