IGLR70R200D2SXUMA1 vs IGK120B041SXTSA1 Сравнение
Подробное сравнение бок о бок IGLR70R200D2SXUMA1 от Infineon и IGK120B041SXTSA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Сравнение характеристик
| Параметр | IGLR70R200D2SXUMA1 | IGK120B041SXTSA1 |
|---|---|---|
| Бренд | Infineon | Infineon |
| Категория | MOSFETs | MOSFETs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $1,24 | $1,68 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | CoolGaN G5 | CoolGaN Bidirectional Switch (BDS) |
| Channel Type | N-Channel | — |
| Technology | GaN HEMT (E-mode, enhancement-mode) | Gallium Nitride (GaN) on Silicon |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 700 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 9.3 A | 30 A |
| Power Dissipation (PD, Tc) | 34 W | — |
| On-Resistance (RDS(on), max) | 200 mΩ | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 1.26 nC | 4.4 nC |
| Output Capacitance (Coss) | 91 pF | — |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 0.21 pF | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th), typ) | 1.2 V | — |
| Диапазон рабочих температур | -40 °C to +150 °C | [DATA_NEEDED: junction temperature range] |
| Корпус | PG-TSON-8-8 (surface mount, ThinPAK top-cooled) | SG-UFWLB-16-2 (WLCSP 1.2 x 1.7 mm) |
| RoHS | Compliant | — |
| Generation | — | G3 (medium-voltage) |
| Тип транзистора | — | N-Channel, Monolithic Bidirectional |
| Drain-Source Voltage (VDS, max) | — | 40 V (symmetric, both polarities) |
| Power Dissipation (Tc) | — | 15 W |
| Power Dissipation (Ta) | — | 1.2 W |
| On-State Resistance (RDS(on)) | — | [DATA_NEEDED: typical RDS(on) in mOhm] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: typical VGS(th) in V] |
| Operating Mode | — | Normally-off |
| Тип монтажа | — | Surface Mount |
| Статус RoHS | — | Compliant (Pb-free) |