IMZ120R080M1H vs C3M0080120D Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IMZ120R080M1H par Infineon et C3M0080120D par Wolfspeed. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | IMZ120R080M1H | C3M0080120D |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Wolfspeed |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $10,95 | $17,95 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Wolfspeed |
| Product Family | CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET | — |
| Technology | Silicon Carbide (SiC) trench MOSFET | Silicon Carbide (SiC) Power MOSFET, 3rd generation (C3M) |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 1200 V | — |
| On-State Resistance RDS(on) | 80 mOhm at Tj = 25 C | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | 4.5 V (benchmark) | — |
| Turn-Off Gate Voltage | 0 V | — |
| Transistor Polarity | N-Channel | — |
| Style de montage | Through Hole | — |
| Boîtier | PG-TO247-4 | TO-247-3 (through-hole, 3 leads + tab) |
| Robust Body Diode | Yes, supports hard commutation | — |
| Threshold-free On-state | Yes | — |
| Switching Losses | Very low (per datasheet) | — |
| Recommended Operating Margin | <= 80% of maximum ratings | — |
| RoHS | Compliant (per Mouser listing) | — |
| Part Number | — | C3M0080120D |
| Channel Type | — | N-Channel Enhancement Mode |
| Drain-Source Voltage (Vdss) | — | 1200 V |
| On-Resistance Rds(on) typ | — | 80 mOhm |
| Continuous Drain Current (Tc) | — | 36 A |
| Power Dissipation (Tc) | — | 192 W |
| Gate-Source Voltage (Vgs max) | — | -10 V to +25 V (recommended +15/-3 V) |
| Température de jonction en fonctionnement | — | -55 C to +175 C |
| Type de montage | — | Through Hole |
| Statut RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| Body Diode | — | Intrinsic, zero reverse recovery (Qrr) |