IPB014N06NATMA1 vs ISC045N03L5SATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IPB014N06NATMA1 par Infineon et ISC045N03L5SATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IPB014N06NATMA1 ISC045N03L5SATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $2,10 $0,51
Transistor Polarity N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 30 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta 34 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 180 A —
Power Dissipation (PD) at Ta 3 W —
Power Dissipation (PD) at Tc 214 W —
On-Resistance RDS(on) max 1.4 mΩ at VGS=10V —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Température de jonction en fonctionnement -55 °C to +175 °C —
Boîtier PG-TO263-7 (D2PAK-7) SuperSO8 5x6 (PG-TDSON-8-6)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS 5 (trench-gate) OptiMOS 5 / Trench
Avalanche Rating 100% avalanche tested —
Qualification JEDEC qualified for target applications —
Primary Application Synchronous rectification, motor control —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — ISC045N03L5SATMA1
Type de transistor — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C — 18 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 63 A
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 4.5 mΩ
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — 2 V @ ID=250 µA
Total Gate Charge (Qg) — 13 nC @ VGS=10 V
Input Capacitance (Ciss) — 870 pF @ VDS=15 V
Power Dissipation (PD) at TA=25°C — 2.5 W
Power Dissipation (PD) at TC=25°C — 30 W
Plage de température de fonctionnement — -55 °C to +150 °C
Statut RoHS — Compliant

Fiches techniques et ressources

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