IPB014N06NATMA1 vs ISC045N03L5SATMA1 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок IPB014N06NATMA1 от Infineon и ISC045N03L5SATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
IPB014N06NATMA1 IPB014N06NATMA1 - 60V 180A OptiMOS 5 N-Channel MOSFET | Infineon

IPB014N06NATMA1 - 60V 180A OptiMOS 5 N-Channel MOSFET | Infineon

IPB014N06NATMA1 ✓ Активен
Infineon
ISC045N03L5SATMA1 ISC045N03L5SATMA1 - 30V 4.5mΩ OptiMOS 5 N-Ch MOSFET | Infineon

ISC045N03L5SATMA1 - 30V 4.5mΩ OptiMOS 5 N-Ch MOSFET | Infineon

ISC045N03L5SATMA1 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр IPB014N06NATMA1 ISC045N03L5SATMA1
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $2,10 $0,51
Transistor Polarity N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 30 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta 34 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 180 A —
Power Dissipation (PD) at Ta 3 W —
Power Dissipation (PD) at Tc 214 W —
On-Resistance RDS(on) max 1.4 mΩ at VGS=10V —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Рабочая температура перехода -55 °C to +175 °C —
Корпус PG-TO263-7 (D2PAK-7) SuperSO8 5x6 (PG-TDSON-8-6)
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS 5 (trench-gate) OptiMOS 5 / Trench
Avalanche Rating 100% avalanche tested —
Qualification JEDEC qualified for target applications —
Primary Application Synchronous rectification, motor control —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — ISC045N03L5SATMA1
Тип транзистора — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C — 18 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 63 A
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 4.5 mΩ
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — 2 V @ ID=250 µA
Total Gate Charge (Qg) — 13 nC @ VGS=10 V
Input Capacitance (Ciss) — 870 pF @ VDS=15 V
Power Dissipation (PD) at TA=25°C — 2.5 W
Power Dissipation (PD) at TC=25°C — 30 W
Диапазон рабочих температур — -55 °C to +150 °C
Статус RoHS — Compliant

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену