IPB014N06NATMA1 vs ISC045N03L5SATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IPB014N06NATMA1 por Infineon e ISC045N03L5SATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IPB014N06NATMA1 ISC045N03L5SATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $2,10 $0,51
Transistor Polarity N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 30 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta 34 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 180 A —
Power Dissipation (PD) at Ta 3 W —
Power Dissipation (PD) at Tc 214 W —
On-Resistance RDS(on) max 1.4 mΩ at VGS=10V —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Temperatura de junção de operação -55 °C to +175 °C —
Encapsulamento PG-TO263-7 (D2PAK-7) SuperSO8 5x6 (PG-TDSON-8-6)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS 5 (trench-gate) OptiMOS 5 / Trench
Avalanche Rating 100% avalanche tested —
Qualification JEDEC qualified for target applications —
Primary Application Synchronous rectification, motor control —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — ISC045N03L5SATMA1
Tipo de transistor — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C — 18 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 63 A
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 4.5 mΩ
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — 2 V @ ID=250 µA
Total Gate Charge (Qg) — 13 nC @ VGS=10 V
Input Capacitance (Ciss) — 870 pF @ VDS=15 V
Power Dissipation (PD) at TA=25°C — 2.5 W
Power Dissipation (PD) at TC=25°C — 30 W
Faixa de temperatura de operação — -55 °C to +150 °C
Status RoHS — Compliant

Fichas técnicas e recursos

Ver todos os produtos Criar BOM Solicitar cotação