IPB020NE7N3GATMA1 vs BSC042NE7NS3GATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IPB020NE7N3GATMA1 par Infineon et BSC042NE7NS3GATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | IPB020NE7N3GATMA1 | BSC042NE7NS3GATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $2,31 | $1,24 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | IPB020NE7N3GATMA1 | BSC042NE7NS3GATMA1 |
| Technology | OptiMOS 3 N-Channel Power MOSFET | OptiMOS 3 |
| Polarity | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 75 V | 75 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 120 A | 100 A |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 300 W | 125 W |
| On-State Resistance RDS(on) | 2.0 mΩ typical (per part number code) | — |
| Boîtier | PG-TO263-3 (D²PAK, TO-263AB) | PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6 mm) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Configuration | Single | — |
| Plage de température de fonctionnement | -55C to +175C (junction) | -55C to +150C |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | [DATA_NEEDED: VGS(th) min/typ/max] | — |
| Gate Charge Qg | [DATA_NEEDED: total gate charge] | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Niveau MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating] | 1 |
| Avalanche Rated | Yes (per OptiMOS 3 family datasheet) | — |
| Type de transistor | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 19 A |
| RDS(on) max at VGS=10V | — | 4.2 mOhm |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | +/-20 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ | — | 1.7 V |
| Power Dissipation (PD) at Ta | — | 2.5 W |