IPB020NE7N3GATMA1 vs BSC042NE7NS3GATMA1 비교
다음의 상세 나란히 비교: IPB020NE7N3GATMA1 제조: Infineon 및 BSC042NE7NS3GATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | IPB020NE7N3GATMA1 | BSC042NE7NS3GATMA1 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | Infineon |
| 카테고리 | MOSFETs | MOSFETs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $2.31 | $1.24 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | IPB020NE7N3GATMA1 | BSC042NE7NS3GATMA1 |
| Technology | OptiMOS 3 N-Channel Power MOSFET | OptiMOS 3 |
| Polarity | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 75 V | 75 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 120 A | 100 A |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 300 W | 125 W |
| On-State Resistance RDS(on) | 2.0 mΩ typical (per part number code) | — |
| 패키지 | PG-TO263-3 (D²PAK, TO-263AB) | PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6 mm) |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| Configuration | Single | — |
| 동작 온도 범위 | -55C to +175C (junction) | -55C to +150C |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | [DATA_NEEDED: VGS(th) min/typ/max] | — |
| Gate Charge Qg | [DATA_NEEDED: total gate charge] | — |
| RoHS 상태 | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| MSL 레벨 | [DATA_NEEDED: MSL rating] | 1 |
| Avalanche Rated | Yes (per OptiMOS 3 family datasheet) | — |
| 트랜지스터 유형 | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 19 A |
| RDS(on) max at VGS=10V | — | 4.2 mOhm |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | +/-20 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ | — | 1.7 V |
| Power Dissipation (PD) at Ta | — | 2.5 W |