IPB039N10N3GATMA1 vs IPB60R040CFD7ATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IPB039N10N3GATMA1 par Infineon et IPB60R040CFD7ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
IPB039N10N3GATMA1 - 100V 160A OptiMOS 3 N-Channel MOSFET | Infineon
IPB039N10N3GATMA1 ✓ ActifInfineon
IPB60R040CFD7ATMA1 - 600V 50A 40mΩ CoolMOS CFD7 MOSFET | Infineon
IPB60R040CFD7ATMA1 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | IPB039N10N3GATMA1 | IPB60R040CFD7ATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $2,28 | $5,19 |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | Superjunction (SJ) N-Channel MOSFET |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 160 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | 214 W | — |
| On-State Resistance RDS(on) at VGS=10V (typ) | 3.9 mOhm | — |
| Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg typ] | — |
| Gate-Drain Charge (Qgd) | [DATA_NEEDED: Qgd typ] | — |
| Plage de température de fonctionnement | -55C to +175C | -55°C to +150°C |
| Boîtier | PG-TO263-7 (D2PAK-7, 6 leads + tab) | PG-TO263-3-2 (D2PAK) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Niveau MSL | 1 | 1 |
| RoHS / Halogen-Free Status | RoHS compliant, halogen-free | — |
| Series / Family | OptiMOS 3 | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Product Family | — | CoolMOS CFD7 |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 600 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) | — | 50 A |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 40 mΩ |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | — | 4 V |
| Total Gate Charge Qg typ | — | [DATA_NEEDED: Qg] |
| Dissipation de puissance (TC=25°C) | — | 227 W |
| Integrated Body Diode | — | Yes - ultra-fast CoolMOS CFD7 diode |
| Statut RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| Target Applications | — | Soft-switching topologies (ZVS phase-shift full-bridge, LLC) |