IPB068N20NM6ATMA1 vs BSC050N04LSGATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IPB068N20NM6ATMA1 par Infineon et BSC050N04LSGATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
BSC050N04LSGATMA1 BSC050N04LSGATMA1 - 40V 85A N-Ch OptiMOS 3 | Infineon

BSC050N04LSGATMA1 - 40V 85A N-Ch OptiMOS 3 | Infineon

BSC050N04LSGATMA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre IPB068N20NM6ATMA1 BSC050N04LSGATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,99 $0,41
Manufacturer Infineon Technologies —
Series OptiMOS 6 —
Type de transistor N-Channel MOSFET —
Technology OptiMOS 6 charge-compensation trench OptiMOS 3 (trench MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) 200 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA 15.4 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC 134 A —
Power Dissipation (PD) at TA 3.8 W —
Power Dissipation (PD) at TC 300 W —
On-Resistance RDS(on) max 68 milliohm —
RDS(on) Improvement vs Prior Generation 42% lower —
Boîtier PG-TO263-3-2 (D2PAK, surface mount) PG-TDSON-8-5 (TDSON-8 EP, 5x6 mm)
Nombre de broches 3 (2 + tab) —
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Tape and Reel Packaging Yes (ATMA1 suffix = T&R) —
FET Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 40 V
Gate-to-Source Voltage (VGS) — ±20 V
Continuous Drain Current at 25C (ID, Ta) — 18 A
Continuous Drain Current at 25C (ID, Tc) — 85 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current IDM]
Power Dissipation at Ta (PD) — 2.5 W
Power Dissipation at Tc (PD) — 57 W
On-State Resistance (RDS(on)) — [DATA_NEEDED: RDS(on) max at VGS=10V]
On-State Resistance (RDS(on)) at VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max]
Plage de température de fonctionnement — -55C to +150C
Avalanche Energy Rated — Yes (single-pulse avalanche)
Statut RoHS — Compliant
Niveau MSL — 1

Fiches techniques et ressources

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