IPB100N12S305ATMA2 vs BSC076N04NDATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IPB100N12S305ATMA2 par Infineon et BSC076N04NDATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IPB100N12S305ATMA2 BSC076N04NDATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,95 $0,82
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 5 120V OptiMOS 3
Type de transistor N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 120 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 100 A —
Power Dissipation (PD) at Tc 300 W —
Drain-Source On-Resistance RDS(on) 0.0048 ohm (4.8 mΩ) at VGS=10 V —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] 4 V (max, typical)
Maximum Junction Temperature 175 °C —
Avalanche Energy (EAS) 1445 mJ —
Boîtier / Format PG-TO263-3-2 (D2PAK) PG-TDSON-8-4 (SuperSO8, 5x6 mm)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Plage de température de fonctionnement -55 °C to +175 °C (TJ) —
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
Statut RoHS Compliant —
Niveau MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Configuration — Dual N-Channel (independent MOSFETs)
Drain-Source Voltage (VDS) max — 40 V
Continuous Drain Current (ID) — 20 A (Tc)
On-Resistance RDS(on) max — 7.6 mOhm
Power Dissipation (Ta) — 2.3 W
Power Dissipation (Tc) — 65 W
Technology — Trench MOSFET (OptiMOS 3)
Qgd/Qgs Ratio — < 0.8 (high shot-through immunity)
Température de jonction en fonctionnement — -55 C to +175 C
RoHS / Pb-Free — Compliant (Pb-free plating)
FET Type — 2x N-Channel MOSFET array

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