IPB100N12S305ATMA2 vs IRF1310NSTRLPBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IPB100N12S305ATMA2 par Infineon et IRF1310NSTRLPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IPB100N12S305ATMA2 IRF1310NSTRLPBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,95 $0,84
Manufacturer Infineon Technologies —
Series OptiMOS 5 120V —
Type de transistor N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 120 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc 100 A —
Power Dissipation (PD) at Tc 300 W —
Drain-Source On-Resistance RDS(on) 0.0048 ohm (4.8 mΩ) at VGS=10 V —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Maximum Junction Temperature 175 °C —
Avalanche Energy (EAS) 1445 mJ —
Boîtier / Format PG-TO263-3-2 (D2PAK) —
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Plage de température de fonctionnement -55 °C to +175 °C (TJ) -55C to +175C
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
Statut RoHS Compliant —
Niveau MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 42 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 36 mOhm
Total Gate Charge (Qg) — 73.3 nC
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 160 W
Power Dissipation (PD) at TA=25C — 3.8 W
Boîtier — D2PAK (TO-263AB)
Technology — IR MOSFET (HEXFET)
Built-in Diode — Yes (intrinsic body diode)
Lead-Free / RoHS — Yes (PBF suffix)
Configuration — Single with built-in diode

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