IPB100N12S305ATMA2 vs IRF1310NSTRLPBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IPB100N12S305ATMA2 por Infineon e IRF1310NSTRLPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IPB100N12S305ATMA2 IRF1310NSTRLPBF
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,95 $0,84
Manufacturer Infineon Technologies —
Series OptiMOS 5 120V —
Tipo de transistor N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 120 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc 100 A —
Power Dissipation (PD) at Tc 300 W —
Drain-Source On-Resistance RDS(on) 0.0048 ohm (4.8 mΩ) at VGS=10 V —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Maximum Junction Temperature 175 °C —
Avalanche Energy (EAS) 1445 mJ —
Encapsulamento / Caixa PG-TO263-3-2 (D2PAK) —
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Faixa de temperatura de operação -55 °C to +175 °C (TJ) -55C to +175C
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
Status RoHS Compliant —
Nível MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 42 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 36 mOhm
Total Gate Charge (Qg) — 73.3 nC
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 160 W
Power Dissipation (PD) at TA=25C — 3.8 W
Encapsulamento — D2PAK (TO-263AB)
Technology — IR MOSFET (HEXFET)
Built-in Diode — Yes (intrinsic body diode)
Lead-Free / RoHS — Yes (PBF suffix)
Configuration — Single with built-in diode

Fichas técnicas e recursos

Ver todos os produtos Criar BOM Solicitar cotação