IPB110P06LMATMA1 vs IPP037N08N3GXKSA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IPB110P06LMATMA1 par Infineon et IPP037N08N3GXKSA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | IPB110P06LMATMA1 | IPP037N08N3GXKSA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $1,31 | $1,32 |
| FET Type | P-Channel | N-Channel |
| Technology | OptiMOS (trench MOSFET) | MOSFET (Metal Oxide) - OptiMOS™ 3 |
| Drain-Source Voltage (VDS) | -60 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | -100 A | — |
| Maximum Power Dissipation (PD) at TC=25C | 300 W | — |
| On-State Resistance (RDS(on) max) at VGS=10V | 11 mOhm @ ID=100A | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th) max) | 2 V @ ID=5.55 mA | — |
| Gate-Source Voltage (VGS max) | +/-20 V | — |
| Plage de température de fonctionnement | -55 C to +175 C (TJ) | -55°C to +175°C (junction) |
| Boîtier / Format | PG-TO263-3-2 (D2PAK, TO-263AB, 2 leads + tab) | — |
| Type de montage | Surface Mount | Through Hole |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3-2 | — |
| Gate Drive Level | Logic-level compatible | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | — | 80 V |
| Continuous Drain Current (Id) @ Tc=25°C | — | 100 A |
| RDS(on) Max @ VGS=10V | — | 3.75 mΩ |
| Drive Voltage (Max RDS(on), Min RDS(on)) | — | 6 V, 10 V |
| Power Dissipation (Pd) @ Tc=25°C | — | 214 W |
| Boîtier | — | PG-TO220-3 (Through Hole) |
| Nombre de broches | — | 3 |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | — | [DATA_NEEDED: Vgs(th) typ/min/max] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg typ @ VGS=10V] |
| Avalanche Energy Rating (EAS) | — | [DATA_NEEDED: EAS] |