IPB110P06LMATMA1 vs IPP037N08N3GXKSA1 비교
다음의 상세 나란히 비교: IPB110P06LMATMA1 제조: Infineon 및 IPP037N08N3GXKSA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | IPB110P06LMATMA1 | IPP037N08N3GXKSA1 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | Infineon |
| 카테고리 | MOSFETs | MOSFETs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $1.31 | $1.32 |
| FET Type | P-Channel | N-Channel |
| Technology | OptiMOS (trench MOSFET) | MOSFET (Metal Oxide) - OptiMOS™ 3 |
| Drain-Source Voltage (VDS) | -60 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | -100 A | — |
| Maximum Power Dissipation (PD) at TC=25C | 300 W | — |
| On-State Resistance (RDS(on) max) at VGS=10V | 11 mOhm @ ID=100A | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th) max) | 2 V @ ID=5.55 mA | — |
| Gate-Source Voltage (VGS max) | +/-20 V | — |
| 동작 온도 범위 | -55 C to +175 C (TJ) | -55°C to +175°C (junction) |
| 패키지 / 케이스 | PG-TO263-3-2 (D2PAK, TO-263AB, 2 leads + tab) | — |
| 실장 유형 | Surface Mount | Through Hole |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3-2 | — |
| Gate Drive Level | Logic-level compatible | — |
| RoHS 상태 | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | — | 80 V |
| Continuous Drain Current (Id) @ Tc=25°C | — | 100 A |
| RDS(on) Max @ VGS=10V | — | 3.75 mΩ |
| Drive Voltage (Max RDS(on), Min RDS(on)) | — | 6 V, 10 V |
| Power Dissipation (Pd) @ Tc=25°C | — | 214 W |
| 패키지 | — | PG-TO220-3 (Through Hole) |
| 핀 수 | — | 3 |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | — | [DATA_NEEDED: Vgs(th) typ/min/max] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg typ @ VGS=10V] |
| Avalanche Energy Rating (EAS) | — | [DATA_NEEDED: EAS] |