IPB120N10S405ATMA1 vs IPB90N06S4L04ATMA2 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IPB120N10S405ATMA1 par Infineon et IPB90N06S4L04ATMA2 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
IPB120N10S405ATMA1 IPB120N10S405ATMA1 - 100V 120A 5mΩ N-Ch MOSFET | Infineon

IPB120N10S405ATMA1 - 100V 120A 5mΩ N-Ch MOSFET | Infineon

IPB120N10S405ATMA1 ✓ Actif
Infineon
IPB90N06S4L04ATMA2 IPB90N06S4L04ATMA2 - 60V 90A N-Ch MOSFET D2PAK | Infineon

IPB90N06S4L04ATMA2 - 60V 90A N-Ch MOSFET D2PAK | Infineon

IPB90N06S4L04ATMA2 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre IPB120N10S405ATMA1 IPB90N06S4L04ATMA2
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $2,10 $0,94
Type de transistor N-Channel MOSFET —
Technology Enhancement Mode (Trench) OptiMOS T2, N-channel enhancement mode
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 120 A —
Power Dissipation (PD) at Tc 190 W —
On-Resistance R_DS(on) (typ) 5 mΩ at VGS=10 V —
Boîtier PG-TO263-3 (D2PAK) Surface Mount PG-TO263-3-2 (D2PAK)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Plage de température de fonctionnement -55 C to +175 C -55 °C to +175 °C
MSL (Moisture Sensitivity Level) MSL1 (unlimited floor life at ≤30 C / 85% RH) —
Peak Reflow Temperature 260 C 260 °C
Avalanche Tested 100% (production-screened) 100% avalanche-tested
Automotive Qualification AEC-Q101 Qualified —
RoHS Compliance Green Product (RoHS compliant) —
Gate Threshold Voltage (typ) [DATA_NEEDED: VGS(th)] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg] —
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss] —
Reverse Recovery Charge (Qrr) [DATA_NEEDED: Qrr - body diode] —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — IPB90N06S4L04ATMA2
Drain-Source Voltage (V_DSS) — 60 V
Continuous Drain Current (I_D, Tc) — 90 A
Pulsed Drain Current (I_D,pulse) — 360 A
Power Dissipation (P_D, Tc) — 150 W
On-State Resistance R_DS(on) (typ @ VGS=10V) — 3.4 mΩ
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) — [DATA_NEEDED: V_GS(th)]
Gate-Source Voltage (V_GS) — ±20 V
Niveau MSL — MSL1 (unlimited floor life)
AEC-Q101 Qualification — Qualified (automotive grade)
RoHS / Halogen-Free — Yes (Green Product)

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