IPB120N10S405ATMA1 vs IPB90N06S4L04ATMA2 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IPB120N10S405ATMA1 por Infineon e IPB90N06S4L04ATMA2 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Infineon
IPB120N10S405ATMA1 IPB120N10S405ATMA1 - 100V 120A 5mΩ N-Ch MOSFET | Infineon

IPB120N10S405ATMA1 - 100V 120A 5mΩ N-Ch MOSFET | Infineon

IPB120N10S405ATMA1 ✓ Ativo
Infineon
IPB90N06S4L04ATMA2 IPB90N06S4L04ATMA2 - 60V 90A N-Ch MOSFET D2PAK | Infineon

IPB90N06S4L04ATMA2 - 60V 90A N-Ch MOSFET D2PAK | Infineon

IPB90N06S4L04ATMA2 ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro IPB120N10S405ATMA1 IPB90N06S4L04ATMA2
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $2,10 $0,94
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
Technology Enhancement Mode (Trench) OptiMOS T2, N-channel enhancement mode
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 120 A —
Power Dissipation (PD) at Tc 190 W —
On-Resistance R_DS(on) (typ) 5 mΩ at VGS=10 V —
Encapsulamento PG-TO263-3 (D2PAK) Surface Mount PG-TO263-3-2 (D2PAK)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Faixa de temperatura de operação -55 C to +175 C -55 °C to +175 °C
MSL (Moisture Sensitivity Level) MSL1 (unlimited floor life at ≤30 C / 85% RH) —
Peak Reflow Temperature 260 C 260 °C
Avalanche Tested 100% (production-screened) 100% avalanche-tested
Automotive Qualification AEC-Q101 Qualified —
RoHS Compliance Green Product (RoHS compliant) —
Gate Threshold Voltage (typ) [DATA_NEEDED: VGS(th)] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg] —
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss] —
Reverse Recovery Charge (Qrr) [DATA_NEEDED: Qrr - body diode] —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — IPB90N06S4L04ATMA2
Drain-Source Voltage (V_DSS) — 60 V
Continuous Drain Current (I_D, Tc) — 90 A
Pulsed Drain Current (I_D,pulse) — 360 A
Power Dissipation (P_D, Tc) — 150 W
On-State Resistance R_DS(on) (typ @ VGS=10V) — 3.4 mΩ
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) — [DATA_NEEDED: V_GS(th)]
Gate-Source Voltage (V_GS) — ±20 V
Nível MSL — MSL1 (unlimited floor life)
AEC-Q101 Qualification — Qualified (automotive grade)
RoHS / Halogen-Free — Yes (Green Product)

Fichas técnicas e recursos

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