IPB180P04P4L02ATMA2 vs IPB120P04P4L03ATMA2 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IPB180P04P4L02ATMA2 par Infineon et IPB120P04P4L03ATMA2 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
IPB180P04P4L02ATMA2 - 40V P-Channel 180A OptiMOS-P2 MOSFET | Infineon
IPB180P04P4L02ATMA2 ✓ ActifInfineon
IPB120P04P4L03ATMA2 - 40V P-Channel MOSFET, 120A, D2PAK | Infineon
IPB120P04P4L03ATMA2 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | IPB180P04P4L02ATMA2 | IPB120P04P4L03ATMA2 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $1,85 | $1,74 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Series | OptiMOS-P2 | — |
| Type de transistor | P-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 180 A | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 150 W | — |
| On-State Resistance RDS(on) max | 2.4 mOhm at VGS = -10 V (per Infineon product page) | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max] | — |
| Plage de température de fonctionnement | -55 C to +175 C (junction) | — |
| Boîtier | PG-TO263-7-3 (D2PAK-6, 7-pin) | PG-TO263-3-2 (D2PAK) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Nombre de broches | 7 (6 + tab) | 3 (Gate, Drain, Source) |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 | — |
| Niveau MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating] | [DATA_NEEDED: MSL level] |
| Statut RoHS | Compliant (per Infineon product page) | Compliant (per Infineon product page) |
| Tab Connection | Drain | — |
| Transistor Polarity | — | P-Channel |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) | — | 120 A |
| Power Dissipation (PD, Tc=25C) | — | 136 W |
| On-Resistance (RDS(on)) | — | 3.1 mΩ (typ, per Infineon summary) |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | [DATA_NEEDED: VGS max] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/range] |
| Température de jonction en fonctionnement | — | -55C to +175C |
| Technology Family | — | OptiMOS-P2 |
| Configuration | — | Single P-Channel MOSFET |