IPB35N10S3L26ATMA1 vs IPD70N10S3L12ATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IPB35N10S3L26ATMA1 par Infineon et IPD70N10S3L12ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
IPD70N10S3L12ATMA1 IPD70N10S3L12ATMA1 - 100V 70A OptiMOS-T MOSFET | Infineon

IPD70N10S3L12ATMA1 - 100V 70A OptiMOS-T MOSFET | Infineon

IPD70N10S3L12ATMA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre IPB35N10S3L26ATMA1 IPD70N10S3L12ATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,15 $0,78
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS-T OptiMOS-T
Channel Type N-Channel —
Maximum Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC 35 A —
Power Dissipation (PD) at TC 71 W —
Package Type PG-TO263-3 (D2PAK-2) —
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Nombre de broches 3 (Gate, Drain, Source) 3 (Drain, Gate, Source + tab)
Channel Mode Enhancement —
RDS(on) (typical per Infineon product page) 26.3 mΩ —
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 80 nC —
Maximum Drain-Source Resistance Rds 1.7 mΩ (per RS Components listing) —
Minimum Operating Temperature -55 C —
Maximum Power Dissipation Pd 81 W (per RS Components listing) —
Statut RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant (Green Product)
AEC-Q101 Qualification [DATA_NEEDED: AEC-Q101 qualification status] —
Type de transistor — N-Channel MOSFET (Enhancement Mode)
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 70 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 180 A
Power Dissipation (Ptot, Tc) — 125 W
On-State Resistance RDS(on) typ @ VGS=10V — 11.5 mΩ
Plage de température de fonctionnement — -55 °C to +175 °C (junction)
Boîtier — PG-TO252-3-11 (DPAK)
Niveau MSL — MSL1 (per JEDEC J-STD-020, up to 260 °C peak reflow)
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
Avalanche Rating — 100 % avalanche tested
Avalanche Energy (Single Pulse) — [DATA_NEEDED: EAS value]

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