IPB35N10S3L26ATMA2 vs IAUC60N10S5L110ATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IPB35N10S3L26ATMA2 par Infineon et IAUC60N10S5L110ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
IPB35N10S3L26ATMA2 IPB35N10S3L26ATMA2 - 100V 35A N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

IPB35N10S3L26ATMA2 - 100V 35A N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

IPB35N10S3L26ATMA2 ✓ Actif
Infineon
IAUC60N10S5L110ATMA1 IAUC60N10S5L110ATMA1 - 100V 11mΩ N-Ch OptiMOS 5 | Infineon

IAUC60N10S5L110ATMA1 - 100V 11mΩ N-Ch OptiMOS 5 | Infineon

IAUC60N10S5L110ATMA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre IPB35N10S3L26ATMA2 IAUC60N10S5L110ATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,48 $0,66
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS Power-Transistor —
Type de transistor N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (Vds) 100 V —
Continuous Drain Current (Id) at Tc 35 A —
Courant de drain pulsé 180 A —
Power Dissipation (Pd) at Tc 71 W —
RDS(on) (typical) 26.3 mOhm —
Boîtier PG-TO263-3-2 (D2PAK) PG-TDSON-8-33 (TDSON-8 Single)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Plage de température de fonctionnement -55C to +175C [DATA_NEEDED: min/max operating temperature]
Nombre de broches 3 —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical value] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typical value] —
Statut RoHS Compliant —
Automotive Qualified Yes (per Infineon product page classification) —
Series — OptiMOS™-5
Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) — 100 V
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>, Tc) — 60 A
Power Dissipation (P<sub>D</sub>, Tc) — 88 W
R<sub>DS(on)</sub> at V<sub>GS</sub>=10 V — 11 mΩ
Gate Threshold Voltage (V<sub>GS(th)</sub>) — 1.2 V
Gate-Source Voltage (V<sub>GS</sub>) Max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Total Gate Charge (Q<sub>G</sub>) — [DATA_NEEDED: Qg at specified Vgs]
Avalanche Energy (E<sub>AS</sub>) — [DATA_NEEDED: single-pulse avalanche energy]
Lead-Free / RoHS — Yes (RoHS compliant per LCSC listing)
Packing Code — ATMA1 (Tape & Reel)
Niveau MSL — 1 (per LCSC datasheet snippet)
Sans halogène — Yes (per Infineon product classification)
Customer Info / FGR — J52 (per Infineon product data)

Fiches techniques et ressources

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