IPB35N10S3L26ATMA2 vs IAUC60N10S5L110ATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IPB35N10S3L26ATMA2 por Infineon e IAUC60N10S5L110ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Infineon
IPB35N10S3L26ATMA2 IPB35N10S3L26ATMA2 - 100V 35A N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

IPB35N10S3L26ATMA2 - 100V 35A N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

IPB35N10S3L26ATMA2 ✓ Ativo
Infineon
IAUC60N10S5L110ATMA1 IAUC60N10S5L110ATMA1 - 100V 11mΩ N-Ch OptiMOS 5 | Infineon

IAUC60N10S5L110ATMA1 - 100V 11mΩ N-Ch OptiMOS 5 | Infineon

IAUC60N10S5L110ATMA1 ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro IPB35N10S3L26ATMA2 IAUC60N10S5L110ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,48 $0,66
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS Power-Transistor —
Tipo de transistor N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (Vds) 100 V —
Continuous Drain Current (Id) at Tc 35 A —
Corrente de dreno pulsada 180 A —
Power Dissipation (Pd) at Tc 71 W —
RDS(on) (typical) 26.3 mOhm —
Encapsulamento PG-TO263-3-2 (D2PAK) PG-TDSON-8-33 (TDSON-8 Single)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Faixa de temperatura de operação -55C to +175C [DATA_NEEDED: min/max operating temperature]
Número de pinos 3 —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical value] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typical value] —
Status RoHS Compliant —
Automotive Qualified Yes (per Infineon product page classification) —
Series — OptiMOS™-5
Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) — 100 V
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>, Tc) — 60 A
Power Dissipation (P<sub>D</sub>, Tc) — 88 W
R<sub>DS(on)</sub> at V<sub>GS</sub>=10 V — 11 mΩ
Gate Threshold Voltage (V<sub>GS(th)</sub>) — 1.2 V
Gate-Source Voltage (V<sub>GS</sub>) Max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Total Gate Charge (Q<sub>G</sub>) — [DATA_NEEDED: Qg at specified Vgs]
Avalanche Energy (E<sub>AS</sub>) — [DATA_NEEDED: single-pulse avalanche energy]
Lead-Free / RoHS — Yes (RoHS compliant per LCSC listing)
Packing Code — ATMA1 (Tape & Reel)
Nível MSL — 1 (per LCSC datasheet snippet)
Livre de halogênio — Yes (per Infineon product classification)
Customer Info / FGR — J52 (per Infineon product data)

Fichas técnicas e recursos

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