IPB45N06S4L08ATMA3 vs IPB110P06LMATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IPB45N06S4L08ATMA3 par Infineon et IPB110P06LMATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
IPB45N06S4L08ATMA3 - 60V 45A OptiMOS-T2 N-Channel MOSFET | Infineon
IPB45N06S4L08ATMA3 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | IPB45N06S4L08ATMA3 | IPB110P06LMATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,39 | $1,31 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | OptiMOS-T2 | — |
| Channel Type | N-Channel Enhancement Mode | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | -60 V |
| Continuous Drain Current (ID, TC=25C) | 45 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | 7.9 mOhm | — |
| Power Dissipation (TC=25C) | 71 W | — |
| Température de jonction en fonctionnement | -55C to +175C | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | 1.2 V to 2.4 V (typ 1.7 V) | — |
| Boîtier | PG-TO263-3-2 (D2PAK) | — |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| MSL Moisture Sensitivity | MSL1 (260C peak reflow) | — |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 qualified | — |
| Avalanche Tested | 100% avalanche tested | — |
| RoHS Compliance | Yes (Green Product) | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Sans halogène | Yes | — |
| Total Gate Charge Qg typ | [DATA_NEEDED: total gate charge] | — |
| Reverse Recovery Charge Qrr | [DATA_NEEDED: reverse recovery charge] | — |
| Thermal Resistance RthJC max | [DATA_NEEDED: thermal resistance junction-to-case] | — |
| FET Type | — | P-Channel |
| Technology | — | OptiMOS (trench MOSFET) |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | -100 A |
| Maximum Power Dissipation (PD) at TC=25C | — | 300 W |
| On-State Resistance (RDS(on) max) at VGS=10V | — | 11 mOhm @ ID=100A |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th) max) | — | 2 V @ ID=5.55 mA |
| Gate-Source Voltage (VGS max) | — | +/-20 V |
| Plage de température de fonctionnement | — | -55 C to +175 C (TJ) |
| Boîtier / Format | — | PG-TO263-3-2 (D2PAK, TO-263AB, 2 leads + tab) |
| Supplier Device Package | — | PG-TO263-3-2 |
| Gate Drive Level | — | Logic-level compatible |
| Statut RoHS | — | Compliant |