IPB60R190C6ATMA1 vs IPA60R190C6 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IPB60R190C6ATMA1 par Infineon et IPA60R190C6 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IPB60R190C6ATMA1 IPA60R190C6
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,45 $1,55
Technology CoolMOS C6 Superjunction N-Channel MOSFET Superjunction (SJ) / CoolMOS
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V 600 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 20.2 A —
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 151 W —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 190 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) max +/-20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 3.5 V (typ) —
Total Gate Charge (Qg) typ 32 nC —
Plage de température de fonctionnement -55C to +150C -55C to +150C
Boîtier PG-TO263-3 (D2PAK) TO-220 FullPAK (TO-220FP-3)
Type de montage Surface Mount Through-Hole (isolated tab)
Nombre de broches 3 (Gate, Drain, Source) —
Niveau MSL 1 —
Statut RoHS Compliant Compliant
Avalanche Energy Rated Yes (EAS per datasheet) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — CoolMOS C6
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 20.2 A
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 190 mΩ
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 3.5 V
Gate-Source Voltage VGS max — +/- 20 V
Total Gate Charge Qg typ — [DATA_NEEDED: Qg typ]
Rise Time tr typ — [DATA_NEEDED: tr]
Fall Time tf typ — [DATA_NEEDED: tf]
Avalanche Energy EAS — [DATA_NEEDED: EAS]
Power Dissipation Ptot at TC=25C — [DATA_NEEDED: Ptot]
Channel Type — N-Channel enhancement mode
Channel Polarity — N-Channel

Fiches techniques et ressources

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