IPB60R190C6ATMA1 vs IPA60R190C6 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IPB60R190C6ATMA1 por Infineon e IPA60R190C6 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IPB60R190C6ATMA1 IPA60R190C6
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,45 $1,55
Technology CoolMOS C6 Superjunction N-Channel MOSFET Superjunction (SJ) / CoolMOS
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V 600 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 20.2 A —
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 151 W —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 190 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) max +/-20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 3.5 V (typ) —
Total Gate Charge (Qg) typ 32 nC —
Faixa de temperatura de operação -55C to +150C -55C to +150C
Encapsulamento PG-TO263-3 (D2PAK) TO-220 FullPAK (TO-220FP-3)
Tipo de montagem Surface Mount Through-Hole (isolated tab)
Contagem de pinos 3 (Gate, Drain, Source) —
Nível MSL 1 —
Status RoHS Compliant Compliant
Avalanche Energy Rated Yes (EAS per datasheet) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — CoolMOS C6
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 20.2 A
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 190 mΩ
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 3.5 V
Gate-Source Voltage VGS max — +/- 20 V
Total Gate Charge Qg typ — [DATA_NEEDED: Qg typ]
Rise Time tr typ — [DATA_NEEDED: tr]
Fall Time tf typ — [DATA_NEEDED: tf]
Avalanche Energy EAS — [DATA_NEEDED: EAS]
Power Dissipation Ptot at TC=25C — [DATA_NEEDED: Ptot]
Channel Type — N-Channel enhancement mode
Channel Polarity — N-Channel

Fichas técnicas e recursos

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