IPB60R190C6ATMA1 vs IPA60R190C6 Сравнение
Подробное сравнение бок о бок IPB60R190C6ATMA1 от Infineon и IPA60R190C6 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Сравнение характеристик
| Параметр | IPB60R190C6ATMA1 | IPA60R190C6 |
|---|---|---|
| Бренд | Infineon | Infineon |
| Категория | MOSFETs | MOSFETs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $1,45 | $1,55 |
| Technology | CoolMOS C6 Superjunction N-Channel MOSFET | Superjunction (SJ) / CoolMOS |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 600 V | 600 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | 20.2 A | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | 151 W | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 190 mOhm | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | +/-20 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 3.5 V (typ) | — |
| Total Gate Charge (Qg) typ | 32 nC | — |
| Диапазон рабочих температур | -55C to +150C | -55C to +150C |
| Корпус | PG-TO263-3 (D2PAK) | TO-220 FullPAK (TO-220FP-3) |
| Тип монтажа | Surface Mount | Through-Hole (isolated tab) |
| Число выводов | 3 (Gate, Drain, Source) | — |
| Уровень MSL | 1 | — |
| Статус RoHS | Compliant | Compliant |
| Avalanche Energy Rated | Yes (EAS per datasheet) | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Series | — | CoolMOS C6 |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | 20.2 A |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 190 mΩ |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | — | 3.5 V |
| Gate-Source Voltage VGS max | — | +/- 20 V |
| Total Gate Charge Qg typ | — | [DATA_NEEDED: Qg typ] |
| Rise Time tr typ | — | [DATA_NEEDED: tr] |
| Fall Time tf typ | — | [DATA_NEEDED: tf] |
| Avalanche Energy EAS | — | [DATA_NEEDED: EAS] |
| Power Dissipation Ptot at TC=25C | — | [DATA_NEEDED: Ptot] |
| Channel Type | — | N-Channel enhancement mode |
| Channel Polarity | — | N-Channel |