IPC100N04S5L1R5ATMA1 vs IAUA120N04S5N014AUMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IPC100N04S5L1R5ATMA1 par Infineon et IAUA120N04S5N014AUMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
IAUA120N04S5N014AUMA1 - 40V 120A 1.4mΩ Automotive MOSFET | Infineon
IAUA120N04S5N014AUMA1 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | IPC100N04S5L1R5ATMA1 | IAUA120N04S5N014AUMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $1,18 | $2,18 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS-5 40 V | — |
| Polarity / Channel Type | N-Channel, Enhancement Mode | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | 40 V | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | 20 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | 100 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: IDM] | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | 115 W | — |
| On-Resistance RDS(on) at VGS=10 V | 1.5 mOhm (typ) | — |
| On-Resistance RDS(on) at VGS=4.5 V | 1.8 mOhm (typ) | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typ] | — |
| Plage de température de fonctionnement | -55C to +175C | -55°C to +175°C [DATA_NEEDED: confirmed min/max from datasheet] |
| Boîtier | PG-TDSON-8-34 (SS08 leadless) | PG-HSOF-5-2 (sTOLL) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Niveau MSL | MSL1 (260C peak reflow) | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| AEC-Q101 Qualified | Yes | — |
| Statut RoHS | Compliant (Green Product) | Compliant |
| Avalanche Tested | 100% | — |
| Part Number | — | IAUA120N04S5N014AUMA1 |
| Series | — | OptiMOS™ 5 |
| FET Type | — | N-Channel |
| Technology | — | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain-to-Source Voltage (V<sub>DSS</sub>) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>) @ T<sub>C</sub>=25°C | — | 120 A |
| R<sub>DS(on)</sub> Max @ V<sub>GS</sub>=10 V | — | 1.4 mΩ |
| Power Dissipation (P<sub>D</sub>) @ T<sub>C</sub>=25°C | — | 136 W |
| Nombre de broches | — | 5 + Tab (6 effective) |
| Gate Drive | — | Enhancement Mode |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 |
| Avalanche Rated | — | Yes (100% avalanche tested) |