IPC100N04S5L1R5ATMA1 vs IAUA120N04S5N014AUMA1 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок IPC100N04S5L1R5ATMA1 от Infineon и IAUA120N04S5N014AUMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
IPC100N04S5L1R5ATMA1 IPC100N04S5L1R5ATMA1 - 40V 100A OptiMOS-5 N-MOSFET | Infineon

IPC100N04S5L1R5ATMA1 - 40V 100A OptiMOS-5 N-MOSFET | Infineon

IPC100N04S5L1R5ATMA1 ✓ Активен
Infineon
IAUA120N04S5N014AUMA1 IAUA120N04S5N014AUMA1 - 40V 120A 1.4mΩ Automotive MOSFET | Infineon

IAUA120N04S5N014AUMA1 - 40V 120A 1.4mΩ Automotive MOSFET | Infineon

IAUA120N04S5N014AUMA1 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр IPC100N04S5L1R5ATMA1 IAUA120N04S5N014AUMA1
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $1,18 $2,18
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS-5 40 V —
Polarity / Channel Type N-Channel, Enhancement Mode —
Drain-Source Voltage (VDS) Max 40 V —
Gate-Source Voltage (VGS) Max 20 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 100 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM] —
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 115 W —
On-Resistance RDS(on) at VGS=10 V 1.5 mOhm (typ) —
On-Resistance RDS(on) at VGS=4.5 V 1.8 mOhm (typ) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typ] —
Диапазон рабочих температур -55C to +175C -55°C to +175°C [DATA_NEEDED: confirmed min/max from datasheet]
Корпус PG-TDSON-8-34 (SS08 leadless) PG-HSOF-5-2 (sTOLL)
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Уровень MSL MSL1 (260C peak reflow) [DATA_NEEDED: MSL rating]
AEC-Q101 Qualified Yes —
Статус RoHS Compliant (Green Product) Compliant
Avalanche Tested 100% —
Part Number — IAUA120N04S5N014AUMA1
Series — OptiMOS™ 5
FET Type — N-Channel
Technology — MOSFET (Metal Oxide)
Drain-to-Source Voltage (V<sub>DSS</sub>) — 40 V
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>) @ T<sub>C</sub>=25°C — 120 A
R<sub>DS(on)</sub> Max @ V<sub>GS</sub>=10 V — 1.4 mΩ
Power Dissipation (P<sub>D</sub>) @ T<sub>C</sub>=25°C — 136 W
Число выводов — 5 + Tab (6 effective)
Gate Drive — Enhancement Mode
Automotive Qualification — AEC-Q101
Avalanche Rated — Yes (100% avalanche tested)

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену