IPC70N04S5L4R2ATMA1 vs IPC100N04S5L1R1ATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IPC70N04S5L4R2ATMA1 par Infineon et IPC100N04S5L1R1ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IPC70N04S5L4R2ATMA1 IPC100N04S5L1R1ATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,78 $0,86
FET Type N-Channel —
Technology MOSFET (Metal Oxide) —
Drain to Source Voltage (Vdss) 40 V —
Continuous Drain Current (Id) @ Tc=25°C 70 A —
Power Dissipation (Pd) @ Tc=25°C 50 W —
R_DS(on) Max @ Vgs=10V 4.2 mΩ (typ) —
Gate Threshold (Vgs(th)) Logic Level (4.5 V max Rds On, Min Rds On) —
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5 V —
Boîtier PG-TDSON-8-34 (Surface Mount) PG-TDSON-8-34 (SS08 leadless)
Operating Temperature (Tj) -55°C to +175°C —
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Niveau MSL MSL1 (up to 260°C peak reflow) MSL1 (unlimited floor life, 260 °C peak reflow)
Automotive Qualification AEC-Q101 AEC-Q101 qualified
Avalanche Tested 100% (60 A production test) 100% avalanche tested
Statut RoHS Compliant (Green Product) —
Configuration Single with Built-in Diode —
Case Connection DRAIN —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS-5 40 V
Type de transistor — N-Channel Enhancement Mode
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID) at TC — 100 A
On-Resistance RDS(on) max — 1.1 mΩ
Power Dissipation (PD) at TC — 150 W
Gate Threshold Voltage VGS(th) — Logic Level
Plage de température de fonctionnement — -55 °C to +175 °C
RoHS Compliance — Green Product (RoHS compliant)

Fiches techniques et ressources

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