IPC70N04S5L4R2ATMA1 vs IPC100N04S5L1R1ATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IPC70N04S5L4R2ATMA1 por Infineon e IPC100N04S5L1R1ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IPC70N04S5L4R2ATMA1 IPC100N04S5L1R1ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,78 $0,86
FET Type N-Channel —
Technology MOSFET (Metal Oxide) —
Drain to Source Voltage (Vdss) 40 V —
Continuous Drain Current (Id) @ Tc=25°C 70 A —
Power Dissipation (Pd) @ Tc=25°C 50 W —
R_DS(on) Max @ Vgs=10V 4.2 mΩ (typ) —
Gate Threshold (Vgs(th)) Logic Level (4.5 V max Rds On, Min Rds On) —
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5 V —
Encapsulamento PG-TDSON-8-34 (Surface Mount) PG-TDSON-8-34 (SS08 leadless)
Operating Temperature (Tj) -55°C to +175°C —
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Nível MSL MSL1 (up to 260°C peak reflow) MSL1 (unlimited floor life, 260 °C peak reflow)
Automotive Qualification AEC-Q101 AEC-Q101 qualified
Avalanche Tested 100% (60 A production test) 100% avalanche tested
Status RoHS Compliant (Green Product) —
Configuration Single with Built-in Diode —
Case Connection DRAIN —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS-5 40 V
Tipo de transistor — N-Channel Enhancement Mode
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID) at TC — 100 A
On-Resistance RDS(on) max — 1.1 mΩ
Power Dissipation (PD) at TC — 150 W
Gate Threshold Voltage VGS(th) — Logic Level
Faixa de temperatura de operação — -55 °C to +175 °C
RoHS Compliance — Green Product (RoHS compliant)

Fichas técnicas e recursos

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