IPD031N06L3GATMA1 vs BSC027N04LSGATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IPD031N06L3GATMA1 par Infineon et BSC027N04LSGATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IPD031N06L3GATMA1 BSC027N04LSGATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,48 $0,54
FET Type N-Channel —
Technology MOSFET (Metal Oxide) OptiMOS 3 (Trench)
Drain-to-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 100 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 400 A [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Maximum Power Dissipation (PD) at TC=25°C 167 W —
RDS(on) Max at VGS=10V 3.1 mΩ —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 1.0 V to 2.2 V —
Gate Drive Voltage (Max RDS(on)) 4.5 V, 10 V —
Total Gate Charge (Qg) Typ [DATA_NEEDED: Qg typical value] —
Plage de température de fonctionnement -55°C to +175°C -55°C to +150°C
Boîtier PG-TO252-3 (DPAK) PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Series OptiMOS 3 —
Niveau MSL 1 (Unlimited) 1
Statut RoHS Compliant Compliant
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS 3
Type de transistor — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C — 24 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C — 100 A
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 2.7 mΩ
Power Dissipation (Ta=25°C) — 2.5 W
Dissipation de puissance (TC=25°C) — 83 W
Sans halogène — Yes

Fiches techniques et ressources

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