IPD031N06L3GATMA1 vs BSC027N04LSGATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IPD031N06L3GATMA1 por Infineon e BSC027N04LSGATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IPD031N06L3GATMA1 BSC027N04LSGATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,48 $0,54
FET Type N-Channel —
Technology MOSFET (Metal Oxide) OptiMOS 3 (Trench)
Drain-to-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 100 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 400 A [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Maximum Power Dissipation (PD) at TC=25°C 167 W —
RDS(on) Max at VGS=10V 3.1 mΩ —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 1.0 V to 2.2 V —
Gate Drive Voltage (Max RDS(on)) 4.5 V, 10 V —
Total Gate Charge (Qg) Typ [DATA_NEEDED: Qg typical value] —
Faixa de temperatura de operação -55°C to +175°C -55°C to +150°C
Encapsulamento PG-TO252-3 (DPAK) PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Series OptiMOS 3 —
Nível MSL 1 (Unlimited) 1
Status RoHS Compliant Compliant
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS 3
Tipo de transistor — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C — 24 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C — 100 A
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 2.7 mΩ
Power Dissipation (Ta=25°C) — 2.5 W
Dissipação de potência (TC=25°C) — 83 W
Livre de halogênio — Yes

Fichas técnicas e recursos

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