IPD046N08N5ATMA1 vs IPB031N08N5ATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IPD046N08N5ATMA1 par Infineon et IPB031N08N5ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IPD046N08N5ATMA1 IPB031N08N5ATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,78 $2,62
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Series OptiMOS™ 5 80V —
Type de transistor N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) Max 80 V 80 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C 90 A —
On-Resistance RDS(on) Max at VGS=10V 4.6 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) Max ±20 V [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Power Dissipation (PD) at Tc=25°C 125 W —
Plage de température de jonction en fonctionnement -55 °C to +175 °C —
Boîtier / Format PG-TO252-3 (DPAK), 3-pin (2 leads + tab) —
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS™ 5 trench MOSFET OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET)
Statut RoHS ROHS3 Compliant Compliant
Niveau MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) [DATA_NEEDED: MSL rating]
Configuration Single N-channel, 3-pin (Gate / Drain tab / Source) —
Continuous Drain Current (ID) — 120 A (Tc)
Power Dissipation (PD) Max — 167 W (Tc)
On-Resistance (RDS(on)) Max — 3.1 mOhm (VGS=10V)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) Typ — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg total]
Plage de température de fonctionnement — -55 C to +175 C
Boîtier — PG-TO263-3 (D2PAK)
Nombre de broches — 3 (Gate, Drain, Source + Tab)
Tab Connection — Drain (electrically connected to pin)
Automotive Qualified — Yes (per Arrow listing)

Fiches techniques et ressources

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