IPD046N08N5ATMA1 vs IPB031N08N5ATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IPD046N08N5ATMA1 por Infineon y IPB031N08N5ATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IPD046N08N5ATMA1 IPB031N08N5ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,78 $2,62
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Series OptiMOS™ 5 80V —
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) Max 80 V 80 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C 90 A —
On-Resistance RDS(on) Max at VGS=10V 4.6 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) Max ±20 V [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Power Dissipation (PD) at Tc=25°C 125 W —
Rango de temperatura de unión de funcionamiento -55 °C to +175 °C —
Encapsulado / Carcasa PG-TO252-3 (DPAK), 3-pin (2 leads + tab) —
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS™ 5 trench MOSFET OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET)
Estado RoHS ROHS3 Compliant Compliant
Nivel MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) [DATA_NEEDED: MSL rating]
Configuration Single N-channel, 3-pin (Gate / Drain tab / Source) —
Continuous Drain Current (ID) — 120 A (Tc)
Power Dissipation (PD) Max — 167 W (Tc)
On-Resistance (RDS(on)) Max — 3.1 mOhm (VGS=10V)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) Typ — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg total]
Rango de temperatura de funcionamiento — -55 C to +175 C
Encapsulado — PG-TO263-3 (D2PAK)
Recuento de pines — 3 (Gate, Drain, Source + Tab)
Tab Connection — Drain (electrically connected to pin)
Automotive Qualified — Yes (per Arrow listing)

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