IPD046N08N5ATMA1 vs ISC016N08NM8ATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IPD046N08N5ATMA1 par Infineon et ISC016N08NM8ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | IPD046N08N5ATMA1 | ISC016N08NM8ATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,78 | $1,02 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Series | OptiMOS™ 5 80V | OptiMOS 8 |
| Type de transistor | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | 80 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C | 90 A | — |
| On-Resistance RDS(on) Max at VGS=10V | 4.6 mΩ | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | ±20 V | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25°C | 125 W | — |
| Plage de température de jonction en fonctionnement | -55 °C to +175 °C | — |
| Boîtier / Format | PG-TO252-3 (DPAK), 3-pin (2 leads + tab) | — |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS™ 5 trench MOSFET | Trench-gate OptiMOS 8 (silicon) |
| Statut RoHS | ROHS3 Compliant | Compliant |
| Niveau MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | 1 (per JEDEC J-STD-020E classification for SuperSO8) |
| Configuration | Single N-channel, 3-pin (Gate / Drain tab / Source) | — |
| Channel Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS max) | — | 80 V |
| Gate-Source Voltage (VGS max) | — | +/-20 V (typical rating) |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 29 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | [DATA_NEEDED: pulsed/continuous current rating at Tc] |
| Pulsed Drain Current (IDM) at Tc | — | 268 A |
| Power Dissipation (PD) at Ta | — | 3 W |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 263 W |
| On-State Resistance RDS(on) typ @ VGS=10V | — | 1.6 mOhm |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | — | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] |
| Total Gate Charge Qg typ | — | [DATA_NEEDED: total gate charge] |
| Plage de température de fonctionnement | — | -55 C to +150 C (junction) |
| Boîtier | — | SuperSO8 / PG-TDSON-8 (5.0 x 6.0 mm) |
| Lead-Free / Halogen-Free | — | Lead-free (per Infineon product page) |