IPD046N08N5ATMA1 vs ISC016N08NM8ATMA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: IPD046N08N5ATMA1 제조: Infineon 및 ISC016N08NM8ATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Infineon
ISC016N08NM8ATMA1 ISC016N08NM8ATMA1 - 80V N-Ch OptiMOS 8 MOSFET | Infineon

ISC016N08NM8ATMA1 - 80V N-Ch OptiMOS 8 MOSFET | Infineon

ISC016N08NM8ATMA1 ✓ 활성

사양 비교

파라미터 IPD046N08N5ATMA1 ISC016N08NM8ATMA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.78 $1.02
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Series OptiMOS™ 5 80V OptiMOS 8
트랜지스터 유형 N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) Max 80 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C 90 A —
On-Resistance RDS(on) Max at VGS=10V 4.6 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) Max ±20 V —
Power Dissipation (PD) at Tc=25°C 125 W —
동작 접합 온도 범위 -55 °C to +175 °C —
패키지 / 케이스 PG-TO252-3 (DPAK), 3-pin (2 leads + tab) —
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS™ 5 trench MOSFET Trench-gate OptiMOS 8 (silicon)
RoHS 상태 ROHS3 Compliant Compliant
MSL 레벨 1 (per JEDEC J-STD-020) 1 (per JEDEC J-STD-020E classification for SuperSO8)
Configuration Single N-channel, 3-pin (Gate / Drain tab / Source) —
Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS max) — 80 V
Gate-Source Voltage (VGS max) — +/-20 V (typical rating)
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 29 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — [DATA_NEEDED: pulsed/continuous current rating at Tc]
Pulsed Drain Current (IDM) at Tc — 268 A
Power Dissipation (PD) at Ta — 3 W
Power Dissipation (PD) at Tc — 263 W
On-State Resistance RDS(on) typ @ VGS=10V — 1.6 mOhm
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Total Gate Charge Qg typ — [DATA_NEEDED: total gate charge]
동작 온도 범위 — -55 C to +150 C (junction)
패키지 — SuperSO8 / PG-TDSON-8 (5.0 x 6.0 mm)
Lead-Free / Halogen-Free — Lead-free (per Infineon product page)

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