IPD068N10N3GATMA1 vs IPD90N06S404ATMA2 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IPD068N10N3GATMA1 par Infineon et IPD90N06S404ATMA2 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
IPD90N06S404ATMA2 IPD90N06S404ATMA2 - 60V 90A N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

IPD90N06S404ATMA2 - 60V 90A N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

IPD90N06S404ATMA2 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre IPD068N10N3GATMA1 IPD90N06S404ATMA2
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,65 $0,72
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number IPD068N10N3GATMA1 —
Technology OptiMOS 3 (N-Channel, Enhancement Mode) OptiMOS
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 60 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc 90 A —
On-Resistance RDS(on) max 6.8 mOhm —
Power Dissipation (PD) at Tc 150 W —
Gate Threshold Voltage VGS(th) 2.0 V to 4.0 V (typical) —
Boîtier PG-TO252-3 (DPAK, 2 leads + tab) PG-TO252-3-11 (DPAK), 3-pin surface mount
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Température de jonction en fonctionnement -55 C to +175 C —
Channel Type N-Channel —
Configuration Single —
Statut RoHS Compliant Compliant (Green Product)
Niveau MSL 1 MSL1
Packing Tape & Reel (T/R) —
Qualification Industrial (non-automotive) —
FET Type — N-Channel, Enhancement Mode
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 90 A
Power Dissipation (PD, Tc) — 150 W
On-Resistance (RDS(on)) — 3.8 mΩ (typ) at VGS = 10 V
Operating Temperature (TJ max) — 175 °C
Peak Reflow Temperature — 260 °C (MSL1)
Avalanche Rating — 100% Avalanche Tested
Automotive Qualification — AEC-Q101
Polarity — Single N-Channel

Fiches techniques et ressources

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