IPD068N10N3GATMA1 vs IPD90N06S404ATMA2 比較

詳細な並列比較: IPD068N10N3GATMA1 メーカー: Infineon および IPD90N06S404ATMA2 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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IPD90N06S404ATMA2 IPD90N06S404ATMA2 - 60V 90A N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

IPD90N06S404ATMA2 - 60V 90A N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

IPD90N06S404ATMA2 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IPD068N10N3GATMA1 IPD90N06S404ATMA2
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.65 $0.72
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number IPD068N10N3GATMA1 —
Technology OptiMOS 3 (N-Channel, Enhancement Mode) OptiMOS
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 60 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc 90 A —
On-Resistance RDS(on) max 6.8 mOhm —
Power Dissipation (PD) at Tc 150 W —
Gate Threshold Voltage VGS(th) 2.0 V to 4.0 V (typical) —
パッケージ PG-TO252-3 (DPAK, 2 leads + tab) PG-TO252-3-11 (DPAK), 3-pin surface mount
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
動作接合温度 -55 C to +175 C —
Channel Type N-Channel —
Configuration Single —
RoHS ステータス Compliant Compliant (Green Product)
MSLレベル 1 MSL1
Packing Tape & Reel (T/R) —
Qualification Industrial (non-automotive) —
FET Type — N-Channel, Enhancement Mode
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 90 A
Power Dissipation (PD, Tc) — 150 W
On-Resistance (RDS(on)) — 3.8 mΩ (typ) at VGS = 10 V
Operating Temperature (TJ max) — 175 °C
Peak Reflow Temperature — 260 °C (MSL1)
Avalanche Rating — 100% Avalanche Tested
Automotive Qualification — AEC-Q101
Polarity — Single N-Channel

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