IPD082N10N3GATMA1 vs BSC0906NSATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IPD082N10N3GATMA1 par Infineon et BSC0906NSATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IPD082N10N3GATMA1 BSC0906NSATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,14 $0,48
Part Number IPD082N10N3GATMA1 —
Manufacturer Infineon Technologies —
Technology OptiMOS 3 (Trench N-Channel) OptiMOS
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) @ Tc=25°C 80 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10 V 8.2 mΩ —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/max] [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max]
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typical] [DATA_NEEDED: Qg @ VGS=10V]
Power Dissipation (PD) @ Tc=25°C 125 W —
Température de jonction en fonctionnement -55°C to +175°C —
Boîtier / Format PG-TO252-3 (DPAK), surface mount —
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Nombre de broches 3 (Gate, Drain, Source) 8
Statut RoHS Compliant Compliant
Automotive Qualified (AEC-Q101) Not applicable (industrial/consumer grade) —
Lead-Free Yes —
Niveau MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) —
FET Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 30 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 18 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 63 A
Power Dissipation at Ta — 2.5 W
Power Dissipation at Tc — 30 W
Boîtier — PG-TDSON-8-6 (SuperSO8, 5x6 mm)
RDS(on) max (typical reference) — [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=10V]
Plage de température de fonctionnement — -55C to +150C (junction, typical)

Fiches techniques et ressources

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