IPD082N10N3GATMA1 vs BSC0906NSATMA1 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок IPD082N10N3GATMA1 от Infineon и BSC0906NSATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
IPD082N10N3GATMA1 IPD082N10N3GATMA1 - 100V N-Channel OptiMOS 3 Power MOSFET | Infineon

IPD082N10N3GATMA1 - 100V N-Channel OptiMOS 3 Power MOSFET | Infineon

IPD082N10N3GATMA1 ✓ Активен
Infineon
BSC0906NSATMA1 BSC0906NSATMA1 - 30V 63A OptiMOS N-Channel MOSFET | Infineon

BSC0906NSATMA1 - 30V 63A OptiMOS N-Channel MOSFET | Infineon

BSC0906NSATMA1 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр IPD082N10N3GATMA1 BSC0906NSATMA1
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $1,14 $0,48
Part Number IPD082N10N3GATMA1 —
Manufacturer Infineon Technologies —
Technology OptiMOS 3 (Trench N-Channel) OptiMOS
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) @ Tc=25°C 80 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10 V 8.2 mΩ —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/max] [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max]
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typical] [DATA_NEEDED: Qg @ VGS=10V]
Power Dissipation (PD) @ Tc=25°C 125 W —
Рабочая температура перехода -55°C to +175°C —
Корпус / Типоразмер PG-TO252-3 (DPAK), surface mount —
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Число выводов 3 (Gate, Drain, Source) 8
Статус RoHS Compliant Compliant
Automotive Qualified (AEC-Q101) Not applicable (industrial/consumer grade) —
Lead-Free Yes —
Уровень MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) —
FET Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 30 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 18 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 63 A
Power Dissipation at Ta — 2.5 W
Power Dissipation at Tc — 30 W
Корпус — PG-TDSON-8-6 (SuperSO8, 5x6 mm)
RDS(on) max (typical reference) — [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=10V]
Диапазон рабочих температур — -55C to +150C (junction, typical)

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену