IPD082N10N3GATMA1 vs BSC0906NSATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IPD082N10N3GATMA1 por Infineon e BSC0906NSATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IPD082N10N3GATMA1 BSC0906NSATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,14 $0,48
Part Number IPD082N10N3GATMA1 —
Manufacturer Infineon Technologies —
Technology OptiMOS 3 (Trench N-Channel) OptiMOS
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) @ Tc=25°C 80 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10 V 8.2 mΩ —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/max] [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max]
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typical] [DATA_NEEDED: Qg @ VGS=10V]
Power Dissipation (PD) @ Tc=25°C 125 W —
Temperatura de junção de operação -55°C to +175°C —
Encapsulamento / Caixa PG-TO252-3 (DPAK), surface mount —
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Contagem de pinos 3 (Gate, Drain, Source) 8
Status RoHS Compliant Compliant
Automotive Qualified (AEC-Q101) Not applicable (industrial/consumer grade) —
Lead-Free Yes —
Nível MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) —
FET Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 30 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 18 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 63 A
Power Dissipation at Ta — 2.5 W
Power Dissipation at Tc — 30 W
Encapsulamento — PG-TDSON-8-6 (SuperSO8, 5x6 mm)
RDS(on) max (typical reference) — [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=10V]
Faixa de temperatura de operação — -55C to +150C (junction, typical)

Fichas técnicas e recursos

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