IPD082N10N3GATMA1 vs BSZ011NE2LS5IATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IPD082N10N3GATMA1 par Infineon et BSZ011NE2LS5IATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
IPD082N10N3GATMA1 - 100V N-Channel OptiMOS 3 Power MOSFET | Infineon
IPD082N10N3GATMA1 ✓ Actif
Comparaison des spécifications
| Paramètre | IPD082N10N3GATMA1 | BSZ011NE2LS5IATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $1,14 | $0,55 |
| Part Number | IPD082N10N3GATMA1 | — |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Technology | OptiMOS 3 (Trench N-Channel) | OptiMOS 5 (Trench) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | 25 V |
| Continuous Drain Current (ID) @ Tc=25°C | 80 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10 V | 8.2 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/max] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg typical] | — |
| Power Dissipation (PD) @ Tc=25°C | 125 W | — |
| Température de jonction en fonctionnement | -55°C to +175°C | — |
| Boîtier / Format | PG-TO252-3 (DPAK), surface mount | — |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Nombre de broches | 3 (Gate, Drain, Source) | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Automotive Qualified (AEC-Q101) | Not applicable (industrial/consumer grade) | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Niveau MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | MSL1 (per JEDEC J-STD-020) |
| FET Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C | — | 35 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | — | 40 A |
| On-State Resistance RDS(on) max at VGS=10 V | — | 1.1 mΩ (typical, per datasheet title) |
| Power Dissipation at TA=25°C | — | 2.1 W |
| Power Dissipation at TC=25°C | — | 69 W |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | — | 1.0 V to 2.0 V (typical 1.5 V) |
| Gate Drive Voltage (recommended) | — | 4.5 V to 10 V |
| Plage de température de fonctionnement | — | -55°C to +150°C |
| Boîtier | — | PG-TSDSON-8-34 (PQFN 3.3x3.3 mm) |
| Sans halogène | — | Yes |