IPD082N10N3GATMA1 vs BSZ011NE2LS5IATMA1 비교
다음의 상세 나란히 비교: IPD082N10N3GATMA1 제조: Infineon 및 BSZ011NE2LS5IATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
Infineon
IPD082N10N3GATMA1 - 100V N-Channel OptiMOS 3 Power MOSFET | Infineon
IPD082N10N3GATMA1 ✓ 활성
사양 비교
| 파라미터 | IPD082N10N3GATMA1 | BSZ011NE2LS5IATMA1 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | Infineon |
| 카테고리 | MOSFETs | MOSFETs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $1.14 | $0.55 |
| Part Number | IPD082N10N3GATMA1 | — |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Technology | OptiMOS 3 (Trench N-Channel) | OptiMOS 5 (Trench) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | 25 V |
| Continuous Drain Current (ID) @ Tc=25°C | 80 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10 V | 8.2 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/max] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg typical] | — |
| Power Dissipation (PD) @ Tc=25°C | 125 W | — |
| 동작 접합 온도 | -55°C to +175°C | — |
| 패키지 / 케이스 | PG-TO252-3 (DPAK), surface mount | — |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| 핀 수 | 3 (Gate, Drain, Source) | — |
| RoHS 상태 | Compliant | Compliant |
| Automotive Qualified (AEC-Q101) | Not applicable (industrial/consumer grade) | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| MSL 레벨 | 1 (per JEDEC J-STD-020) | MSL1 (per JEDEC J-STD-020) |
| FET Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C | — | 35 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | — | 40 A |
| On-State Resistance RDS(on) max at VGS=10 V | — | 1.1 mΩ (typical, per datasheet title) |
| Power Dissipation at TA=25°C | — | 2.1 W |
| Power Dissipation at TC=25°C | — | 69 W |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | — | 1.0 V to 2.0 V (typical 1.5 V) |
| Gate Drive Voltage (recommended) | — | 4.5 V to 10 V |
| 동작 온도 범위 | — | -55°C to +150°C |
| 패키지 | — | PG-TSDSON-8-34 (PQFN 3.3x3.3 mm) |
| 할로겐 프리 | — | Yes |