IPD082N10N3GATMA1 vs BSZ011NE2LS5IATMA1 Сравнение
Подробное сравнение бок о бок IPD082N10N3GATMA1 от Infineon и BSZ011NE2LS5IATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Infineon
IPD082N10N3GATMA1 - 100V N-Channel OptiMOS 3 Power MOSFET | Infineon
IPD082N10N3GATMA1 ✓ Активен
Сравнение характеристик
| Параметр | IPD082N10N3GATMA1 | BSZ011NE2LS5IATMA1 |
|---|---|---|
| Бренд | Infineon | Infineon |
| Категория | MOSFETs | MOSFETs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $1,14 | $0,55 |
| Part Number | IPD082N10N3GATMA1 | — |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Technology | OptiMOS 3 (Trench N-Channel) | OptiMOS 5 (Trench) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | 25 V |
| Continuous Drain Current (ID) @ Tc=25°C | 80 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10 V | 8.2 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/max] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg typical] | — |
| Power Dissipation (PD) @ Tc=25°C | 125 W | — |
| Рабочая температура перехода | -55°C to +175°C | — |
| Корпус / Типоразмер | PG-TO252-3 (DPAK), surface mount | — |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Число выводов | 3 (Gate, Drain, Source) | — |
| Статус RoHS | Compliant | Compliant |
| Automotive Qualified (AEC-Q101) | Not applicable (industrial/consumer grade) | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Уровень MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | MSL1 (per JEDEC J-STD-020) |
| FET Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C | — | 35 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | — | 40 A |
| On-State Resistance RDS(on) max at VGS=10 V | — | 1.1 mΩ (typical, per datasheet title) |
| Power Dissipation at TA=25°C | — | 2.1 W |
| Power Dissipation at TC=25°C | — | 69 W |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | — | 1.0 V to 2.0 V (typical 1.5 V) |
| Gate Drive Voltage (recommended) | — | 4.5 V to 10 V |
| Диапазон рабочих температур | — | -55°C to +150°C |
| Корпус | — | PG-TSDSON-8-34 (PQFN 3.3x3.3 mm) |
| Без галогенов | — | Yes |