IPD082N10N3GATMA1 vs IPD70N10S312ATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IPD082N10N3GATMA1 par Infineon et IPD70N10S312ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
IPD082N10N3GATMA1 - 100V N-Channel OptiMOS 3 Power MOSFET | Infineon
IPD082N10N3GATMA1 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | IPD082N10N3GATMA1 | IPD70N10S312ATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $1,14 | $0,92 |
| Part Number | IPD082N10N3GATMA1 | IPD70N10S312ATMA1 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies (formerly International Rectifier) |
| Technology | OptiMOS 3 (Trench N-Channel) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) @ Tc=25°C | 80 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | 180 A |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10 V | 8.2 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/max] | [DATA_NEEDED: VGS(th)] |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg typical] | 65 nC @ 10 V |
| Power Dissipation (PD) @ Tc=25°C | 125 W | — |
| Température de jonction en fonctionnement | -55°C to +175°C | — |
| Boîtier / Format | PG-TO252-3 (DPAK), surface mount | — |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Nombre de broches | 3 (Gate, Drain, Source) | — |
| Statut RoHS | Compliant | — |
| Automotive Qualified (AEC-Q101) | Not applicable (industrial/consumer grade) | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Niveau MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | MSL1 (up to 260 °C peak reflow) |
| Product Family | — | OptiMOS-T Power-Transistor |
| FET Type | — | N-Channel, Enhancement Mode |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | — | 70 A |
| Power Dissipation (PD, Tc) | — | 125 W |
| On-State Resistance (RDS(on)) | — | 11.1 mΩ @ 70 A, 10 V VGS |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | ±20 V |
| Input Capacitance (Ciss) | — | 4355 pF @ 25 V |
| Operating Temperature (TJ) | — | -55 °C to +175 °C |
| Boîtier | — | PG-TO252-3-11 (DPAK, 2 Leads + Tab) |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 |
| Avalanche Tested | — | 100 % (per datasheet) |
| RoHS Compliance | — | Green product, RoHS compliant |