IPD082N10N3GATMA1 vs IPD70N10S312ATMA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: IPD082N10N3GATMA1 제조: Infineon 및 IPD70N10S312ATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Infineon
IPD70N10S312ATMA1 IPD70N10S312ATMA1 - 100V 70A N-Channel MOSFET | TXF | TO-252

IPD70N10S312ATMA1 - 100V 70A N-Channel MOSFET | TXF | TO-252

IPD70N10S312ATMA1 ✓ 활성

사양 비교

파라미터 IPD082N10N3GATMA1 IPD70N10S312ATMA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $1.14 $0.92
Part Number IPD082N10N3GATMA1 IPD70N10S312ATMA1
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Technology OptiMOS 3 (Trench N-Channel) —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) @ Tc=25°C 80 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] 180 A
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10 V 8.2 mΩ —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/max] [DATA_NEEDED: VGS(th)]
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typical] 65 nC @ 10 V
Power Dissipation (PD) @ Tc=25°C 125 W —
동작 접합 온도 -55°C to +175°C —
패키지 / 케이스 PG-TO252-3 (DPAK), surface mount —
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
핀 수 3 (Gate, Drain, Source) —
RoHS 상태 Compliant —
Automotive Qualified (AEC-Q101) Not applicable (industrial/consumer grade) —
Lead-Free Yes —
MSL 레벨 1 (per JEDEC J-STD-020) MSL1 (up to 260 °C peak reflow)
Product Family — OptiMOS-T Power-Transistor
FET Type — N-Channel, Enhancement Mode
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 70 A
Power Dissipation (PD, Tc) — 125 W
On-State Resistance (RDS(on)) — 11.1 mΩ @ 70 A, 10 V VGS
Gate-Source Voltage (VGS) — ±20 V
Input Capacitance (Ciss) — 4355 pF @ 25 V
Operating Temperature (TJ) — -55 °C to +175 °C
패키지 — PG-TO252-3-11 (DPAK, 2 Leads + Tab)
Automotive Qualification — AEC-Q101
Avalanche Tested — 100 % (per datasheet)
RoHS Compliance — Green product, RoHS compliant

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