IPD30N10S3L34ATMA1 vs IPD082N10N3GATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IPD30N10S3L34ATMA1 par Infineon et IPD082N10N3GATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
IPD30N10S3L34ATMA1 - 100V 30A N-Channel OptiMOS MOSFET | Infineon
IPD30N10S3L34ATMA1 ✓ ActifInfineon
IPD082N10N3GATMA1 - 100V N-Channel OptiMOS 3 Power MOSFET | Infineon
IPD082N10N3GATMA1 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | IPD30N10S3L34ATMA1 | IPD082N10N3GATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,38 | $1,14 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS-T2 | — |
| Type de transistor | N-Channel Enhancement Mode MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) | 30 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 180 A | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Power Dissipation (PD, Tc=25°C) | 57 W | — |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on) max) | 31 mΩ @ VGS=10 V | — |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th) typ) | 1.7 V (range 1.0 V to 2.5 V) | — |
| Total Gate Charge (Qg typ) | 23 nC | — |
| Température de jonction en fonctionnement | -55°C to +175°C | -55°C to +175°C |
| Boîtier | PG-TO252-3-11 (DPAK-2 / SC-63) | — |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 qualified | — |
| Niveau MSL | 1 (JEDEC J-STD-020, 260°C peak reflow) | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| RoHS / REACH | Compliant | — |
| Lead-Free / Halogen-Free | Yes / Yes | — |
| Avalanche Rated | 100% Avalanche tested | — |
| Part Number | — | IPD082N10N3GATMA1 |
| Technology | — | OptiMOS 3 (Trench N-Channel) |
| Continuous Drain Current (ID) @ Tc=25°C | — | 80 A |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10 V | — | 8.2 mΩ |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/max] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg typical] |
| Power Dissipation (PD) @ Tc=25°C | — | 125 W |
| Boîtier / Format | — | PG-TO252-3 (DPAK), surface mount |
| Nombre de broches | — | 3 (Gate, Drain, Source) |
| Statut RoHS | — | Compliant |
| Automotive Qualified (AEC-Q101) | — | Not applicable (industrial/consumer grade) |
| Lead-Free | — | Yes |