IPD30N10S3L34ATMA1 vs IPD082N10N3GATMA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: IPD30N10S3L34ATMA1 제조: Infineon 및 IPD082N10N3GATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

사양 비교

파라미터 IPD30N10S3L34ATMA1 IPD082N10N3GATMA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.38 $1.14
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS-T2 —
트랜지스터 유형 N-Channel Enhancement Mode MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 100 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) 30 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 180 A [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) 57 W —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on) max) 31 mΩ @ VGS=10 V —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th) typ) 1.7 V (range 1.0 V to 2.5 V) —
Total Gate Charge (Qg typ) 23 nC —
동작 접합 온도 -55°C to +175°C -55°C to +175°C
패키지 PG-TO252-3-11 (DPAK-2 / SC-63) —
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
MSL 레벨 1 (JEDEC J-STD-020, 260°C peak reflow) 1 (per JEDEC J-STD-020)
RoHS / REACH Compliant —
Lead-Free / Halogen-Free Yes / Yes —
Avalanche Rated 100% Avalanche tested —
Part Number — IPD082N10N3GATMA1
Technology — OptiMOS 3 (Trench N-Channel)
Continuous Drain Current (ID) @ Tc=25°C — 80 A
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10 V — 8.2 mΩ
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/max]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg typical]
Power Dissipation (PD) @ Tc=25°C — 125 W
패키지 / 케이스 — PG-TO252-3 (DPAK), surface mount
핀 수 — 3 (Gate, Drain, Source)
RoHS 상태 — Compliant
Automotive Qualified (AEC-Q101) — Not applicable (industrial/consumer grade)
Lead-Free — Yes

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