IPD30N10S3L34ATMA1 vs IPD082N10N3GATMA1 比較

詳細な並列比較: IPD30N10S3L34ATMA1 メーカー: Infineon および IPD082N10N3GATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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IPD30N10S3L34ATMA1 IPD30N10S3L34ATMA1 - 100V 30A N-Channel OptiMOS MOSFET | Infineon

IPD30N10S3L34ATMA1 - 100V 30A N-Channel OptiMOS MOSFET | Infineon

IPD30N10S3L34ATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IPD30N10S3L34ATMA1 IPD082N10N3GATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.38 $1.14
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS-T2 —
トランジスタタイプ N-Channel Enhancement Mode MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 100 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) 30 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 180 A [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) 57 W —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on) max) 31 mΩ @ VGS=10 V —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th) typ) 1.7 V (range 1.0 V to 2.5 V) —
Total Gate Charge (Qg typ) 23 nC —
動作接合温度 -55°C to +175°C -55°C to +175°C
パッケージ PG-TO252-3-11 (DPAK-2 / SC-63) —
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
MSLレベル 1 (JEDEC J-STD-020, 260°C peak reflow) 1 (per JEDEC J-STD-020)
RoHS / REACH Compliant —
Lead-Free / Halogen-Free Yes / Yes —
Avalanche Rated 100% Avalanche tested —
Part Number — IPD082N10N3GATMA1
Technology — OptiMOS 3 (Trench N-Channel)
Continuous Drain Current (ID) @ Tc=25°C — 80 A
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10 V — 8.2 mΩ
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/max]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg typical]
Power Dissipation (PD) @ Tc=25°C — 125 W
パッケージ / ケース — PG-TO252-3 (DPAK), surface mount
ピン数 — 3 (Gate, Drain, Source)
RoHS ステータス — Compliant
Automotive Qualified (AEC-Q101) — Not applicable (industrial/consumer grade)
Lead-Free — Yes

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