IPD35N10S3L26ATMA2 vs IPD70N10S312ATMA2 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IPD35N10S3L26ATMA2 par Infineon et IPD70N10S312ATMA2 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IPD35N10S3L26ATMA2 IPD70N10S312ATMA2
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,05 $0,69
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS-T —
Type de transistor N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 100 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 35 A 70 A
On-Resistance R<sub>DS(on)</sub> max 24 mOhm —
Power Dissipation (Ptot, Tc) 71 W —
Gate Threshold V<sub>GS(th)</sub> [DATA_NEEDED: gate threshold typical/range] —
Plage de température de fonctionnement [DATA_NEEDED: Tj min/max] -55C to +175C
Boîtier PG-TO252-3-11 (DPAK) PG-TO252-3-11 (DPAK)
Nombre de broches 3 (Drain, Source, Gate + tab) 3 (Gate, Drain, Source)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 —
Technology Trench MOSFET (OptiMOS-T) OptiMOS-T Power-MOSFET (N-Channel)
Statut RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Niveau MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] 1 (unlimited floor life)
Part Number — IPD70N10S312ATMA2
Power Dissipation (Ptot, Tc=25C) — 125 W
On-State Resistance RDS(on) — [DATA_NEEDED: typical RDS(on) at VGS=10V]
Gate-Source Voltage (VGS) — ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
Channel Type — N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated — Yes

Fiches techniques et ressources

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