IPD35N10S3L26ATMA2 vs IPD70N10S312ATMA2 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IPD35N10S3L26ATMA2 por Infineon y IPD70N10S312ATMA2 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IPD35N10S3L26ATMA2 IPD70N10S312ATMA2
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $1,05 $0,69
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS-T —
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 100 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 35 A 70 A
On-Resistance R<sub>DS(on)</sub> max 24 mOhm —
Power Dissipation (Ptot, Tc) 71 W —
Gate Threshold V<sub>GS(th)</sub> [DATA_NEEDED: gate threshold typical/range] —
Rango de temperatura de funcionamiento [DATA_NEEDED: Tj min/max] -55C to +175C
Encapsulado PG-TO252-3-11 (DPAK) PG-TO252-3-11 (DPAK)
Recuento de pines 3 (Drain, Source, Gate + tab) 3 (Gate, Drain, Source)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 —
Technology Trench MOSFET (OptiMOS-T) OptiMOS-T Power-MOSFET (N-Channel)
Estado RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Nivel MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] 1 (unlimited floor life)
Part Number — IPD70N10S312ATMA2
Power Dissipation (Ptot, Tc=25C) — 125 W
On-State Resistance RDS(on) — [DATA_NEEDED: typical RDS(on) at VGS=10V]
Gate-Source Voltage (VGS) — ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
Channel Type — N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated — Yes

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